aln烧结设备

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aln烧结设备,电子工业专用设备总第期氮化铝陶瓷烧结炉温度均匀性对烧结产品质量影响的研究王磊河北半导体研究所河北石家庄摘要氮化铝陶瓷是近年来广受关注的一种新型陶瓷材料是剧毒氧化铍的替代材料其在高功率电子领域有着相当广泛的应用前景但是氮化铝陶瓷是难烧结的非氧化物陶瓷陶瓷的烧结对氮化铝陶瓷性能的影响非常大尤其是在氮化铝陶瓷批量生产过程中陶瓷烧结炉的温度不均匀将导致陶瓷性能的巨大差异。简要介绍了氮化铝陶瓷烧结炉温度均匀性对烧结产品质量的影响。氮化铝烧结炉温度均匀性批量生产中图分类号.文献标识码文章编号:收稿日期氮化铝是一种高热导率的新型陶瓷材料具有高热导率、理论热导率为是陶瓷的倍具有高介电常数约为陶瓷的.倍热膨胀系数与硅匹配.绝专题报道电子工业专用设备总第期温度时间图排胶工艺曲线缘强度高体电阻率Ω无毒、兼容各种芯片组装工艺的优点非常适合在有功率要求的微波、波电路中应用。此外氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及。

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aln烧结设备,:氮化铝陶瓷导热性能良好,是集成电路基板和电子封装的理想材料。但氮化铝为强共价键结合物,熔点高,自扩散系数小,通常需要热压烧结才能制备出高致密的氮化铝陶瓷。并且氮化铝对氧的亲和力很强,在陶瓷制备过程中容易引入氧杂质,造成导热性下降。本文通过常压烧结氮化铝陶瓷,研究了不同制备工艺和选取不同烧结助试剂对氮化铝陶瓷的的烧结过程的影响。通过分析氮化铝陶瓷制备过程中引入氧杂质的情况,研究了氮化铝粉末热氧化和水解氧化行为,并以此为基础研究了氮化铝陶瓷制备工艺对氮化铝氧化的影响。结果表明:氮化铝热氧化过程在下便可以进行,并且粒径较小的氮化铝粉末更易被氧化。而氮化铝水解氧化过程有一个较长时间的起始阶段,此阶段反应进行较缓慢。在陶瓷烧结过程中,利用碳黑埋粉,可产生碳热还原作用,避免了氮化铝的氧化。通过改变制备工艺,进行了氮化铝陶瓷的低温烧结,研究了不同条件对氮化铝陶瓷致密度的影响。结果表明:在氮化铝陶瓷。