氮化硅的生产设备

氮化硅的生产设备,一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备,其特征是硅烷和氨气的气相化学反应是在立式双温区流态反应器中进行,该反应器流态床底部设有不锈钢制造的分配板,载体填料是粒度为的硅晶体,床层外部设有主加热器,反应器的上部空间为反应区,反应区外部设有副加热器。同现有技术比较,本发明的优点是设备投资少,能耗低,收率高,氮化硅颗粒细而均匀,表面光滑,内部结构无气孔,无团聚现象,适宜工业化生产。一种制造高纯度超细氮化硅的方法,以硅烷和氨气为原料气,通过气相化学反应合成超细氮化硅粉体,化学反应式为:(气)(气)(固)(气),其特征在于:该气相化学反应在立式双温区流态床反应器中进行,原料气中硅烷含量为,自下而上通过反应器,其流速为/,反应产物由气流带出,收集在过滤器中。

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氮化硅的生产设备,宁波中博瓷热能科技有限公司的前身为创办于年的国营奉化陶瓷厂,公司一直致力于研发、生产、销售、服务特种陶瓷领域,于年从中科院上海硅酸盐研究所首次引进氮化硅生产技术,为国内最早一批引进氮化硅生产技术的专业企业,目前已发展成具备气压烧结氮化硅、热压烧结氮化硅、常压烧结和反应烧结氮化硅生产能力,并拥有两台大型等静压设备。现有员工余人,厂区占地,其中建筑面积,拥有各类完善的生产及测试设备。作为一家民营高科技企业,我们始终立足自主研发及创新,公司成立了“中博瓷热能技术研究开发领导小组”,并长期聘请中科院上海硅酸盐研究所、上海材料研究所、清华大学、浙江大学、宁波大学、中科院宁波材料所等知名学者教授作为企业技术顾问。公司主要生产超高热导率氮化硅陶瓷电热元件、安全型防结垢氮化硅陶瓷发热片、氮化硅粉体及各类氮化硅制品。目前,公司三分之一的产品供应。

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氮化硅的生产设备,摘要:摘要:研究了等离子增强化学气相淀积工艺中射频条件功率和频率对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频时氮化硅薄膜处于压应力,高频时处于张应力,且相同功率时低频.射频功率对薄膜应力的影响表中的测量数据整理后如图所示。低频条件下氮化硅薄膜应力为压应力,高频条件下为张应力,其大小均随功率的增大而减小。其中在气体流量,压强和温度等其他条件均相同时,低频压应力的值明显大于高频张应力的值,其比值约为。对于低频氮化硅,在功率较小时,等离子体密度有限,发生化学反应的原子有足够的时间有序的排列形成氮化硅薄膜,这种薄膜是十分致密的随着功率的增大,等离子体密度随之增大,发生表面淀积反应的分子快速增加,原子将没有足够的时间进行排列,而是无序地淀积形成薄膜,因此薄膜致密性降低,压应力随之减小。同样对于富氢的高频氮化硅薄膜,随功率增大的等离子体密度将导致分子无序化排列,而这。

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氮化硅的生产设备,一种氮化硅粉末的制造方法的设备,本发明的方法是用-和液氨在有机溶剂界面上发生反应生成硅亚胺,然后将其加热分解制得粉末。通过反应器、喷淋洗涤器、旋液分离器、热分解结晶化回转炉等设备实现连续加料,连续出料达到连续生产粉末的目的。本发明的方法所获得的产品高纯、超细粉末中α,〔-〕,金属总杂质含量,粒度,产率达。氮化硅粉末的制造方法及设备一种用四氯化硅与液氨在有机溶剂界面反应生成硅亚胺,然后将其加热分解制得氮化硅粉末的方法及设备,其特征在于通过如下步骤连续进行:硅亚胺的合成:在装有搅拌器和多孔分布板的反应器中首先加入液氨和与之不相溶且比重大于液氨的有机溶剂,然后将四氮化硅和惰性气体连续通入有机溶剂层中并不断补充液氨,惰性气体携带四氯化硅通过多孔分布板均匀到达有机溶剂和液氨界面,与液氨反应生成硅亚胺和副产物氯化铵,漂浮于有机溶剂上面。硅亚胺的洗涤:生成的硅亚胺和副产品氯化氨随液氨流体通过反。

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氮化硅的生产设备,氮化硅铁的定义氮化硅铁是以为主要成分,伴随游离铁,未氮化硅铁及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅铁是一种灰白色或茶褐色的粉末状物,炼钢用氮化硅铁是灰白色粒状物。氮化硅铁用途粉状氮化硅铁主要用于大高炉的堵口炮泥中,少量用于铁沟料或其它不定形耐火材料中。粒状氮化硅铁主要用于取向硅钢或其它采用氮化物提高强度的钢种如钢筋。氮化硅铁同时也是是生产冷轧单向硅钢片的添加剂。该产品加入金属熔体后可获得良好的常温和低温强度,良好的耐腐蚀性能、热冲击和耐磨损性能。氮化硅铁是一种新兴的优质耐火原料,可代替价格较高的氮化硅,用于大型高炉的无水炮泥具有很好的开口性,助烧结性,抗浸蚀性,低成本特点。氮化硅铁在发达国家的高炉炮泥中得到普遍应用,使炮泥开堵性能得到了明显改善,满足高炉出铁的需要,成为现代化大高炉炮泥不可缺少的成分.另外在铁沟料中加入少量氮化硅铁极大地提高铁沟的通铁量.日本在上世纪年代开始使用氮化。

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氮化硅的生产设备,温馨提示:我们不销售任何技术名称对应的实物产品和设备,请购买实物产品和设备的朋友不要咨询.!纳米级氮化硅复合材料发热体及制作工艺本发明是对氮化硅发热体的改进。它采用纳米级氮化硅细粉填加入普通氮化硅粉达到改性的目的,使配方组份中省略了价格昂贵的氮化铝,从而使高压高温烧结工艺转化为常压高温下烧结。不但大大降低了成本而且提高了发热体的质量,有利于推广普及。配方中采取了的.的氮化硅和的小于级的氮化硅微粉,配上.的三氧化二铝和.的三氧化二钇填加剂,获得了满意的效果。型信道氮化硅只读存储器的擦除方法本发明是有关于一种型信道氮化硅只读存储器的擦除方法,此擦除方法对一个在电荷陷入层中储存有电荷的型信道氮化硅只读存储器,在控制栅极施加一个正电压,在漏极施加一个负电压,将源极浮置以及将此型信道氮化硅只读存储器所在的井接地。并且使得控制栅极与漏极之间的电压差足以使型信道氮化硅只读存储器以频带间引发热电子注。